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书犐犆犛29.045犎83中华人民共和国国家标准犌犅/犜35308—2017太阳能电池用锗基ⅢⅤ族化合物外延片犈狆犻狋犪狓犻犪犾狑犪犳犲狉狊狅犳犵犲狉犿犪狀犻狌犿犫犪狊犲犱ⅢⅤ犮狅犿狆狅狌狀犱狊犳狅狉狊狅犾犪狉犮犲犾犾20171...
ICS29.045H83中华人民共和国国家标准GB/T30856—2014LED外延芯片用砷化镓衬底GaAssubstratesforLEDepitaxialchips2014-07-24发布2015-04-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布...
ICS29.045H83中华人民共和国国家标准GB/T30855—2014LED外延芯片用磷化镓衬底GaPsubstratesforLEDepitaxialchips2014-07-24发布2015-04-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布...
ICS29.045H83中华人民共和国国家标准GB/T30854—2014LED发光用氮化镓基外延片GalliumnitridebasedepitaxiallayerforLEDlighting2014-07-24发布2015-04-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布...
ICS29.045H83中华人民共和国国家标准GB/T30652—2014硅外延用三氯氢硅Trichlorosilaneforsiliconepitaxial2014-12-31发布2015-09-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布...
ICS29.045H80中华人民共和国国家标准GB/T14847—2010代替GB/T14847—1993重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法Testmethodforthicknessoflightlydopedsiliconepitaxiallayersonheavilydopedsiliconsubstratesbyinfraredreflectanc...
书犐犆犛29.045犎80中华人民共和国国家标准犌犅/犜14141—2009代替GB/T14141—1993硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定直排四探针法犜犲狊狋犿犲狋犺狅犱犳狅狉狊犺犲犲狋狉犲狊犻狊狋犪狀犮犲狅犳狊犻犾犻犮狅...
ICS31.030L90中华人民共和国国家标准GB/T29056—2012硅外延用三氯氢硅化学分析方法硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定电感耦合等离子体质谱法Trichlorosilaneforsiliconepitaxy—Determinationofboron,aluminium,phospho...
ICS49.060H80中华人民共和国国家标准GB/T30110—2013空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法MeasuringmethodsofparametersofHgCdTeepilayersusedforspaceinfrareddetectors2013-12-17发布2014-05-15实施中华人民共和国国家质量监督检验检...
ICS77.040.20H21中华人民共和国国家标准GB/T30653—2014Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法TestmethodforcrystalqualityofⅢ-nitrideepitaxiallayers2014-12-31发布2015-09-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发...
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