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    ICS29.045H83中华人民共和国国家标准GB/T30856—2014LED外延芯片用砷化镓衬底GaAssubstratesforLEDepitaxialchips2014-07-24发布2015-04-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布...

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    ICS29.045H80中华人民共和国国家标准GB/T25075—2010太阳能电池用砷化镓单晶Galliumarsenidesinglecrystalforsolarcell2010-09-02发布2011-04-01实施中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局中国国家标准化管理委员会发布...

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    书犐犆犛29.045犎83中华人民共和国国家标准犌犅/犜11093—2007代替GB/T11093—1989液封直拉法砷化镓单晶及切割片犔犻狇狌犻犱犲狀犮犪狆狊狌犾犪狋犲犱犮狕狅犮犺狉犪犾狊犽犻犵狉狅狑狀犵犪犾犾犻狌犿犪狉狊犲狀犻犱...

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    ICS77.040H17中华人民共和国国家标准GB/T17170—2015代替GB/T17170—1997半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法TestmethodfortheEL2deepdonorconcentrationinsemi-insulatinggalliumarsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionsp...

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    ICS77.040H17中华人民共和国国家标准GB/T19199—2015代替GB/T19199—2003半绝缘砷化镓单晶中碳浓度的红外吸收测试方法Testmethodsforcarbonacceptorconcentrationinsemi-insulatinggalliumarsenidesinglecrystalsbyinfraredabsorptionspect...

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    书犐犆犛29.045犎83�����������犌犅/犜11094—2020��GB/T11094—2007������������犌犪犾犾犻狌犿犪狉狊犲狀犻犱犲狊犻狀犵犾犲犮狉狔狊狋犪犾犪狀犱犮狌狋狋犻狀犵狑犪犳犲狉犵狉狅狑狀犫狔犺...

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